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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試

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產(chǎn)品概述

工頻介電常數(shù)測試儀采用測微計電極時，數(shù)量級是0.03的介質(zhì)損耗因數(shù)可測到真值的±0.000 3，數(shù)量級0.0002的介對于非常準(zhǔn)確的測量，在厚度的測量能達(dá)到足夠的晶度時，可采用試樣上不加電極的系統(tǒng)。對于相對電容率不都過10的管狀試樣，醉方便的電極是用金屬筋、汞或沉積金屬膜。相對電容率在10以上的管狀試樣，應(yīng)采用沉積金屬膜電極;燒管上可采用燒熔金屬電極。電極可像帶材一樣包覆在管狀試樣的全部圓周或部分氮周上。

對表面加有電極的試樣的電容，若采用測微計電極測量時，只要試樣直徑比測微計電極足夠小，則只需要進(jìn)行概間法向電容的修正。采用其他的一些方法來測量網(wǎng)電極試樣時.邊緣電容和對地電容的計算將帶來一些誤差，因?yàn)樗鼈兊恼`差都可達(dá)到試樣電容的2%～40%。根據(jù)目前有關(guān)這些電容資料，計算邊緣電容的誤差為10%，計算對地電容的誤差為25%。因此帶來總的誤差是百分之幾十到百分之幾。當(dāng)電極不接地時，對地電容誤差可大大減小，在弟5章和附錄A中所規(guī)定的晶度是;電容率晶度為±1%，介質(zhì)損耗因數(shù)的晶度為±（5%± 0.05》，這些晶度至少取決于三個因素;即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實(shí)測晶度;所用電極裝置引起的這些量的校正晶度，極間法向直空電容的計靠晶度（見表 1），在較低頻率下，電容的測量晶度能達(dá)士（0.1%士0.02 pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量晶度能達(dá)±（2%± 0.00 05）。在較高頻率下，其誤差增人，電容的測量晶度為±（0.5%±0.1 pF），介質(zhì)損耗因數(shù)的測量晶度為±（2%±0，0002）。

所示的試驗(yàn)池也可用件電阻率的測定，IEC 60247，1978對此已詳細(xì)敘述.由于有些液體如氧化物，其介質(zhì)損耗因數(shù)與電授材料有明顯的關(guān)系，不銹鋼電吸不總是醉合適的。有時，用鋁和杜拉懈制成的電極儒得到比較穩(wěn)定的結(jié)果。滿足上述要求的試驗(yàn)施見圖2～圖4。電極是不銹鋼的，用疆硅酸鹽玻璃或石英玻璃作絕緣。

對于帶有保護(hù)電極的試樣，其測量晶度只考慮慢間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護(hù)電極和保護(hù)電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點(diǎn)幾，而校正只能計算到其本身值的百分之幾。如果試樣厚度的測量能晶確到±0.005 mm.則對平均厚度為1.6mm的試樣，其厚度測量誤差能達(dá)到自分之零點(diǎn)兒。圓形試樣的直徑能測定到±0.1%的晶度，但它是以平方的形式引人談差的，輦合這些因素，極間法向真空電容的測量誤差為±0.5%。

必要時應(yīng)對試樣的對地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進(jìn)行校正。測微計電極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表z，表3中相應(yīng)的公式計算得來，液體絕緣材料試驗(yàn)池的設(shè)計對于低介質(zhì)損耗因數(shù)的待測液體.電概系控醉雷要的特點(diǎn)縣∶容易清洗、再裝配（必要時）和灌注波體時不移動電極的相對位置。此外還應(yīng)注意，液體需要量少，電極材料不影響液體，液體也不影響電慢材料，溫度易于控制，硼點(diǎn)和接線能適當(dāng)?shù)仄帘?支撐電極的地緣文架應(yīng)不浸沉在液體中，還有，試驗(yàn)池不應(yīng)含有太短的爬電距離和尖銳的邊緣，否則能影響測量晶度介質(zhì)損耗因數(shù) tan6介質(zhì)損耗因數(shù) un》按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計算。

工頻介電常數(shù)測試儀BQS-37a(QS-37a)型高壓電橋是本公司推出的新一代高壓電橋，主要用于測量工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗(tgδ)及介電常數(shù)（ε）。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路，內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器，并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。

技術(shù)指標(biāo)測量范圍及誤差本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時測量項(xiàng)目測量范圍測量誤差電容量Cx 40pF—20000pF ±0.5% Cx±2pF介損損耗tgδ 0-1 ±1.5% tgδx±0.0001在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時測量項(xiàng)目測量范圍測量誤差電容量Cx 4pF—2000pF ±0.5% Cx±3pF介損損耗tgδ 0-0.1 ±1.5% tgδx±0.0001